非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,IGBT综合了以上两种器件的优点,IGBT的主要材料有外部为封装用的陶瓷;内部件是银丝、黄金镀膜和透明硅胶等,但导通压降大,GTR饱和压降低,